申请/专利权人：武汉华星光电技术有限公司

申请日：2022-08-30

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115425090A

主分类号：H01L29/786

分类号：H01L29/786;H01L29/167;H01L29/10;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：本申请提出了一种薄膜晶体管及其电子器件；薄膜晶体管包括绝缘衬底和设置在绝缘衬底上的有源层，有源层包括叠层设置的第一有源层、沟道层和第二有源层，第一有源层包括第一掺杂部和第二掺杂部，第一掺杂部与沟道层、第二掺杂部连接，以及第一掺杂部内的掺杂离子浓度小于第二掺杂部内的离子掺杂浓度；本申请通过将第一有源层设置为包括掺杂离子浓度不同的第一掺杂部和第二掺杂部，相当于增大了“沟道区”的沟道长度，从而减小漏电流，并提高了薄膜晶体管的“沟道区”的迁移率。

主权项：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：绝缘衬底；以及有源层，设置于所述绝缘衬底上，所述有源层包括叠层设置的第一有源层、沟道层和第二有源层；其中，所述第一有源层包括第一掺杂部和第二掺杂部，所述第一掺杂部与所述沟道层、所述第二掺杂部连接，以及所述第一掺杂部内的掺杂离子浓度小于所述第二掺杂部内的掺杂离子浓度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉华星光电技术有限公司 薄膜晶体管及其电子器件

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