申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2021-07-09

公开（公告）日：2023-01-13

公开（公告）号：CN115602630A

主分类号：H01L21/8238

分类号：H01L21/8238;H01L27/092

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.02.07#实质审查的生效;2023.01.13#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底；多个凸起部，分立于第一器件区和第二器件区的衬底上；沟道结构，位于凸起部上；隔离层，位于衬底上且围绕凸起部；掩埋轨道线，位于第一器件区和第二器件区之间的衬底中，掩埋轨道线与相邻的凸起部之间平行间隔设置；覆盖介质层，位于掩埋轨道线顶部上且位于隔离层中；多个栅极结构，位于隔离层和覆盖介质层上且横跨沟道结构，栅极结构包括电极材料层，部分栅极结构的电极材料层贯穿掩埋轨道线顶部上的覆盖介质层，且与掩埋轨道线相接触，使栅极结构与掩埋轨道线电连接，提高了对栅极结构连线的自由度。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底，包括分立的第一器件区和第二器件区；多个凸起部，分立于所述第一器件区和第二器件区的衬底上；沟道结构，位于所述凸起部上；隔离层，位于所述衬底上且围绕所述凸起部；掩埋轨道线，位于所述第一器件区和第二器件区之间的衬底中，所述掩埋轨道线与相邻的所述凸起部之间平行间隔设置；覆盖介质层，位于所述掩埋轨道线顶部上且位于所述隔离层中；多个栅极结构，位于所述隔离层和覆盖介质层上且横跨所述沟道结构，所述栅极结构包括电极材料层，部分所述栅极结构的电极材料层贯穿所述掩埋轨道线顶部上的覆盖介质层，且与所述掩埋轨道线相接触，使所述栅极结构与所述掩埋轨道线电连接；栅介质层，位于所述栅极结构与所述沟道结构之间、所述栅极结构与所述隔离层顶面之间、以及所述栅极结构与所述覆盖介质层顶面之间；源漏掺杂区，位于所述栅极结构两侧的沟道结构内。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法

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