申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2022-07-12

公开（公告）日：2023-03-14

公开（公告）号：CN115802759A

主分类号：H10B43/50

分类号：H10B43/50;G11C16/04;G11C16/06

优先权：["20210909 KR 10-2021-0120097"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.03.14#公开

摘要：可提供一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列；外围电路元件，被配置为控制基底上的存储器单元阵列的操作；以及布线结构，在外围电路元件上包括彼此间隔开的第一布线结构和第二布线结构，第一电压和不同于第一电压的第二电压被分别施加到第一布线结构的两个相对端，与第一电压和第二电压不同的第三电压被施加到第二布线结构。第一布线结构包括沿第一方向延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开的第一线，第二布线结构包括沿第一方向延伸并且在第二方向上彼此间隔开的第二线，第一线中的一条在第二线之间。

主权项：1.一种半导体存储器装置，包括：存储器单元阵列，在基底上，存储器单元阵列包括被配置为存储数据的存储器单元；外围电路元件，在基底的上表面上，外围电路元件被配置为控制存储器单元阵列的操作；以及布线结构，在外围电路元件上，布线结构包括第一布线结构和第二布线结构，第一布线结构和第二布线结构利用置于第一布线结构与第二布线结构之间的绝缘层彼此间隔开，第一布线结构被配置为在第一布线结构的一端接收第一电压，第一布线结构被配置为由于第一布线结构的电阻而在第一布线结构的另一端接收与第一电压的不同的第二电压，第二布线结构被配置为接收与第一电压和第二电压不同的第三电压，其中，第一布线结构包括沿第一方向延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开的第1_1线和第1_2线，第二布线结构包括沿第一方向延伸并且在第二方向上彼此间隔开的第2_1线和第2_2线，并且第1_1线在第2_1线与第2_2线之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体存储器装置

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