申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2019-12-16

公开（公告）日：2023-05-26

公开（公告）号：CN112992785B

主分类号：H01L21/8234

分类号：H01L21/8234

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.26#授权;2021.07.06#实质审查的生效;2021.06.18#公开

摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区、第二区以及位于第一区和第二区之间的隔离区；在衬底上形成初始栅极结构；在隔离区上形成第一凹槽，第一凹槽垂直于初始栅极结构延伸方向且贯穿初始栅极结构，在第一区上形成第一栅极结构，在第二区上形成第二栅极结构；在第一凹槽内形成表面高于初始栅极结构顶部表面的隔离结构；在第一栅极结构表面和第二栅极结构表面形成与隔离结构材料不同的第一介质层；在第一区第一介质层内形成第一插塞，在第二区第一介质层内形成第二插塞，第一插塞和第二插塞分别与隔离结构相邻，第一插塞与第一栅极结构电连接，第二插塞与第二栅极结构电连接。所述方法形成的半导体结构性能得到了提升。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一区、第二区和隔离区，所述隔离区位于所述第一区和第二区之间，且所述隔离区分别与所述第一区和第二区相邻；在所述衬底上形成初始栅极结构，所述初始栅极结构横跨所述第一区、第二区和隔离区；在所述隔离区上形成第一凹槽，所述第一凹槽垂直于所述初始栅极结构延伸方向且贯穿所述初始栅极结构，在第一区上形成第一栅极结构，在第二区上形成第二栅极结构；在所述第一凹槽内形成隔离结构，所述隔离结构的表面高于所述初始栅极结构顶部表面；形成隔离结构之后，在所述第一栅极结构表面和第二栅极结构表面形成第一介质层，所述第一介质层的顶部表面低于或齐平于所述隔离结构顶部表面，所述第一介质层的材料与所述隔离结构的材料不同；在所述第一区上第一介质层内形成第一插塞，在所述第二区上第一介质层内形成第二插塞，所述第一插塞和第二插塞分别与所述隔离结构相邻，所述第一插塞与所述第一栅极结构电连接，所述第二插塞与所述第二栅极结构电连接。

全文数据：

权利要求：

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