申请/专利权人:江苏润阳世纪光伏科技有限公司
申请日:2023-02-22
公开(公告)日:2023-07-04
公开(公告)号:CN219303692U
主分类号:H01L31/18
分类号:H01L31/18
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.07.04#授权
摘要:本实用新型公开了一种硅片去PSG装置,包括沿工艺流程顺序依次设置的上料区、去PSG槽、水洗槽、烘干槽和下料区,硅片通过位于下方的输送辊输送进行去PSG处理;所述上料区内设有水膜系统,水膜系统包括DI水箱和蓄水罐,所述蓄水罐与DI水箱连通,在蓄水罐下方设有滴水阀,通过滴水阀向硅片供水并在硅片的扩散面形成水膜;在水膜系统的下方设有用于收集多余DI水的二次收集利用机构;本实用新型在水膜系统的下方设有二次收集利用机构,对于溢流的DI水能够收集再次利用,减少资源损耗。
主权项:1.一种硅片去PSG装置,其特征在于,包括沿工艺流程顺序依次设置的上料区1、去PSG槽2、水洗槽3、烘干槽4和下料区5,硅片10通过位于下方的输送辊6输送进行去PSG处理;所述上料区1内设有水膜系统,水膜系统包括DI水箱7和蓄水罐8,所述蓄水罐8与DI水箱7连通,在蓄水罐8下方设有滴水阀9,通过滴水阀9向硅片供水并在硅片的扩散面形成水膜;在水膜系统的下方设有用于收集多余DI水的二次收集利用机构。
全文数据:
权利要求:
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