申请/专利权人：浙江芯科半导体有限公司

申请日：2023-07-17

公开（公告）日：2023-09-08

公开（公告）号：CN116721917A

主分类号：H01L21/329

分类号：H01L21/329;H01L29/24;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.09.26#实质审查的生效;2023.09.08#公开

摘要：本发明属于半导体发光器件领域，提供了一种采用氮化碳P型层的JBS二极管制备方法，包括以下步骤：S1：在N+衬底上通过MOCVD外延生长形成N‑外延层；S2：通过PECVD在N‑外延层上生长一层SiO2掩模层，然后进行涂胶操作，涂胶以后用掩模板光刻并曝光，在N‑外延层上得到两个沟槽图案以用于P型材料沟槽的刻蚀；S3：将器件进行ICP刻蚀，并刻蚀出两个沟槽；S4：如有残胶对器件进行去胶处理，如没有残胶可直接将器件放入BOE中用于去除剩余的SiO2，得到沟槽型的N‑外延层；本发明通过将非金属P型化合物取代传统的依赖MOCVD或离子注入机获取的P型层的技术，此改动不仅使得工艺流程的成本大大降低、节约了成本和时间，且提高了工艺的效率。

主权项：1.一种采用氮化碳P型层的JBS二极管制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在N+衬底上通过MOCVD外延生长形成N-外延层；S2：通过PECVD在N-外延层上生长一层SiO2掩模层，然后进行涂胶操作，涂胶以后用掩模板光刻并曝光，在N-外延层上得到两个沟槽图案以用于P型材料沟槽的刻蚀；S3：将器件进行ICP刻蚀，并刻蚀出两个沟槽；S4：如有残胶对器件进行去胶处理，如没有残胶可直接将器件放入BOE中用于去除剩余的SiO2，得到沟槽型的N-外延层；S5：对沟槽型的N-外延层进行旋胶处理，然后进行掩模和曝光处理；S6：制备P型氮化碳前驱体；S7：在惰性气体保护的800℃条件下，在Cu-N4位点上形成C-C偶联中间体，获得P型掺杂的氮化碳，将N-外延层上倒扣在盛有P型氮化碳前驱体的容器上，并放入管式炉在N2条件下800℃加热4小时并降温至室温，将前驱体中的离子蒸镀到N-外延层之上，在降温过程前驱体中的离子发生缩聚反应，并最终在N-外延层上形成P型氮化碳薄膜；S8：电极蒸镀处理，在器件表面蒸镀一层TiAl金属充当正极，在器件背面蒸镀一层NiAl充当器件的负极。

全文数据：

权利要求：

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