申请/专利权人:江苏易矽科技有限公司
申请日:2023-08-28
公开(公告)日:2023-11-10
公开(公告)号:CN117038719A
主分类号:H01L29/739
分类号:H01L29/739;H01L21/331;H01L29/10
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2023.11.28#实质审查的生效;2023.11.10#公开
摘要:本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种带JBS的RC‑IGBT结构及制备方法。带JBS的RC‑IGBT结构包括具有第一导电类型的半导体衬底,半导体衬底的正面设置有若干个元胞。其特点是,所述元胞含有两个并排布置的沟槽,沟槽的侧壁及底壁上均生长有栅极氧化层,生长有栅极氧化层的沟槽内填充有栅极多晶硅,栅极多晶硅通过设置在沟槽槽口的层间氧化层与半导体衬底正面淀积的金属层绝缘隔离;所述沟槽的外侧均设置有发射极结构。两个沟槽间依次注入有若干个第二导电类型的区域,沟槽间的第一导电类型的区域和第二导电类型的区域与金属层为肖特基接触。该结构Vf较小,反向恢复时间较短。
主权项:1.一种带JBS的RC-IGBT结构,包括具有第一导电类型的半导体衬底,半导体衬底的正面设置有若干个元胞;其特征在于,所述元胞含有两个并排布置的沟槽,沟槽的侧壁及底壁上均生长有栅极氧化层,生长有栅极氧化层的沟槽内填充有栅极多晶硅,栅极多晶硅通过设置在沟槽槽口的层间氧化层与半导体衬底正面淀积的金属层绝缘隔离;所述沟槽的外侧均设置有发射极结构;两个沟槽间依次注入有若干个第二导电类型的区域,沟槽间的第一导电类型的区域和第二导电类型的区域与金属层为肖特基接触。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 江苏易矽科技有限公司 一种带JBS的RC-IGBT结构及制备方法
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