申请/专利权人：扬州大学

申请日：2023-08-24

公开（公告）日：2023-11-17

公开（公告）号：CN117080272A

主分类号：H01L29/872

分类号：H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2023.12.05#实质审查的生效;2023.11.17#公开

摘要：本发明公开了一种对称式沟槽JBS二极管及其制备方法，对称式沟槽JBS二极管包括N+衬底层，在N+衬底层的上表面设有N‑外延层，N‑外延层的上部设置成对称的阶梯式沟槽，阶梯式沟槽的上部为浅沟槽，下部为深沟槽，深沟槽的底部为P+区，P+区上表面设有欧姆接触图形，N‑外延层上表面除去P+区外设有肖特基接触图形，N‑外延层上部设有阳极，N+衬底层下部设有阴极。本发明设置对称式沟槽JBS结构，优化了器件的电场分布，增加了肖特基接触面积，在正向偏压时，电流可以从侧壁流入，有效地降低了正向压降，在反向偏压时，深势垒层有效地屏蔽了肖特基接触，有效地降低了反向漏电流，保证了器件的可靠性的同时降低了器件的损耗。

主权项：1.一种对称式沟槽JBS二极管，其特征在于：所述对称式沟槽JBS二极管包括N+衬底层1，在N+衬底层1的上表面设有N-外延层2，所述N-外延层2的上部设置成对称的阶梯式沟槽，所述阶梯式沟槽的上部为浅沟槽5，浅沟槽5的下部为深沟槽6，所述浅沟槽5和深沟槽6形成阶梯状，所述深沟槽6的底部为P+区3，所述P+区3上表面开设有欧姆接触图形，所述N-外延层2的上表面除去P+区3外设有肖特基接触图形，所述N-外延层2的上部设有阳极4，所述N+衬底层1的下部设有阴极7。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 扬州大学 一种对称式沟槽JBS二极管及其制备方法

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