申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2020-03-18

公开（公告）日：2023-10-24

公开（公告）号：CN111403402B

主分类号：H10B43/30

分类号：H10B43/30;G11C16/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.10.24#授权;2020.08.04#实质审查的生效;2020.07.10#公开

摘要：本申请公开了一种SONOS存储器件的制备方法及SONOS存储器件，属于集成电路制造技术领域。通过本申请提供的制备方法制备得到的SONOS存储器件，由于两个相对设置的L型ONO层共用位线，且位于外侧的选择管栅靠近SONOS存储器件的源端，因此该SONOS存储器件可以使用源端热载流子注入进行写入，相对于相关技术中提供的SONOS存储器件采用FN隧穿方式进行写入具有更低的操作电压，从而提高了器件的可靠性。

主权项：1.一种SONOS存储器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上依次形成有衬垫氧化层和硬掩模层；对所述硬掩模层进行刻蚀，使目标区域的衬垫氧化层暴露，形成硬掩模结构；去除暴露的衬垫氧化层，在所述衬底和所述硬掩模结构表面形成ONO层；在所述ONO层表面形成第一多晶硅层；去除所述硬掩模结构上方的第一多晶硅层，且对所述第一多晶硅层进行刻蚀，使所述第一多晶硅层的高度低于所述硬掩模结构的高度；在所述第一多晶硅层和所述ONO层上形成第一顶部氧化层；对所述第一顶部氧化层和所述ONO层进行刻蚀，去除所述硬掩模结构上方的第一顶部氧化层和ONO层以及所述硬掩模结构之间的第一顶部氧化层，使所述硬掩模结构的顶部和所述第一多晶硅层的预定区域的顶部暴露；对所述第一多晶硅层进行刻蚀，去除所述第一多晶硅层的预定区域，使所述预定区域的ONO层暴露，剩余的第一多晶硅层形成所述SONOS存储器件的存储管栅；在所述第一顶部氧化层、所述硬掩模结构和所述存储管栅的表面形成层间氧化层；刻蚀去除所述硬掩模结构上方的层间氧化层，所述硬掩模结构之间的层间氧化层和ONO层，使所述硬掩模结构之间的衬底暴露；在所述硬掩模结构上方和所述硬掩模结构之间形成第二多晶硅层；去除所述硬掩模结构上方的第二多晶硅层，剩余的第二多晶硅层形成所述SONOS存储器件的位线；在所述硬掩模结构上和所述硬掩模结构之间形成第二顶部氧化层；去除所述硬掩模结构上的第二顶部氧化层；去除所述硬掩模结构和所述衬垫氧化层，剩余的ONO层的截面为L形；在所述衬底上、所述ONO层的外侧壁和所述第二顶部氧化层上形成选择管氧化层；在所述选择管氧化层表面形成第三多晶硅层；对所述第三多晶硅层进行刻蚀，去除所述选择管氧化层和所述衬底上方的第三多晶硅层，剩余的第三多晶硅层形成所述SONOS存储器件的选择管栅，所述选择管栅位于所述存储管的外侧，当所述SONOS存储器件工作时，所述选择管栅比所述存储管栅更靠近所述SONOS存储器件的源端，所述SONOS存储器件使用源端热载流子注入进行写入；刻蚀去除暴露的选择管氧化层，所述暴露的选择管氧化层包括所述存储管顶部和所述衬底上的选择管氧化层。

全文数据：

权利要求：

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