申请/专利权人：国网湖南省电力有限公司;国网湖南省电力有限公司电力科学研究院;国家电网公司

申请日：2023-11-10

公开（公告）日：2024-02-20

公开（公告）号：CN117579048A

主分类号：H03K17/081

分类号：H03K17/081;H03K17/60

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.08#实质审查的生效;2024.02.20#公开

摘要：本发明公开了一种基于常通型SicJFET的交错串联式直流固态断路器，包括驱动模块以及N个交错串联的内层单元，每个内层单元A1的底层开关管的栅极与底层驱动电阻的第一端连接，底层驱动电阻的第二端与驱动模块的输出端连接，内层单元A1的底层开关管源极与其顶层开关管的栅极通过对应的顶层驱动电阻连接，内层单元A1底层开关管的漏极与内层单元A2底层开关管的源极连接，内层单元A1顶层开关管的漏极与内层单元A2顶层开关管的源极连接，内层单元A1顶层开关管的源极与内层单元A3底层开关管的漏极连接。本发明采用常通型SicJFET交错串联方案，提高直流断路器的耐受电压能力，能够适用于更高电压等级的应用场合，并具有极强的可扩展性。

主权项：1.一种基于常通型SicJFET的交错串联式直流固态断路器，其特征在于，包括驱动模块以及N个交错串联的内层单元，所述N大于等于3，每个内层单元均包括底层开关管、顶层开关管以及底层驱动电阻以及顶层驱动电阻，所述底层开关管与底层驱动电阻一一对应，顶层开关管与顶层驱动电阻一一对应，所述底层开关管、顶层开关管均为JFET开关管；对于任意第n个内层单元A1，第n+1个内层单元A2，第n+2个内层单元A3，n＝1,2,3......,N，所述内层单元A1的底层开关管的栅极与底层驱动电阻的第一端连接，所述底层驱动电阻的第二端与所述驱动模块的输出端连接，所述内层单元A1的底层开关管源极与其顶层开关管的栅极通过对应的顶层驱动电阻连接，所述内层单元A1底层开关管的漏极与所述内层单元A2底层开关管的源极连接，所述内层单元A1顶层开关管的漏极与内层单元A2顶层开关管的源极连接，所述内层单元A1顶层开关管的源极与内层单元A3底层开关管的漏极连接。

全文数据：

权利要求：

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