申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2023-10-25

公开（公告）日：2024-02-27

公开（公告）号：CN117612940A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.15#实质审查的生效;2024.02.27#公开

摘要：本申请提供一种LDMOS器件及其制备方法，其中制备方法包括：提供一衬底，衬底上形成有阻挡层和零层光刻胶层；形成第一沟槽；去除图案化的零层光刻胶层和阻挡层；依次在所述衬底上形成外延层、第一介质层和第二介质层；在外延层和衬底中形成第二沟槽，第二沟槽和第一沟槽构成阶梯型沟槽；形成隔离材料层；研磨去除多余的隔离材料层以得到阶梯型STI。本申请通过利用零层光罩刻蚀形成第一沟槽，再利用有源区光罩刻蚀形成第二沟槽，最后在阶梯型沟槽中填充隔离材料层，可以在不额外增加光罩的情况下，在靠近LDMOS器件的漏端一侧的外延层和衬底中形成阶梯型STI，降低了体电场峰值，提高了器件的抗HCI能力，降低了制造成本。

主权项：1.一种LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有阻挡层和零层光刻胶层；通过曝光显影，打开所述零层光刻胶层以得到图案化的零层光刻胶层；以所述图案化的零层光刻胶层为掩模，刻蚀所述阻挡层和所述衬底以在所述衬底中形成第一沟槽；研磨去除所述图案化的零层光刻胶层和所述阻挡层；依次在所述衬底上形成外延层、第一介质层和第二介质层，所述外延层覆盖所述衬底的表面和所述第一沟槽的底壁、侧壁，所述第一介质层覆盖所述外延层，所述第二介质层覆盖所述第一介质层并且填充所述第一沟槽；在所述第二介质层上涂覆有源区工艺光刻胶层；通过曝光显影，打开有源区工艺光刻胶层以得到图案化的有源区工艺光刻胶层；以所述图案化的有源区工艺光刻胶层为掩模，刻蚀所述第一沟槽上方的所述第二介质层、所述第一介质层、所述外延层和部分厚度的衬底以在所述外延层和所述衬底中形成第二沟槽，所述第二沟槽和所述第一沟槽构成阶梯型沟槽；形成隔离材料层，所述隔离材料层填充所述阶梯型沟槽；以及研磨去除所述图案化的有源区工艺光刻胶层、所述第二介质层和所述第一介质层以及超出所述外延层表面的隔离材料层，以得到阶梯型浅沟槽隔离结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 LDMOS器件及其制备方法

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