申请/专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司

申请日：2022-08-22

公开（公告）日：2024-03-08

公开（公告）号：CN117672969A

主分类号：H01L21/8234

分类号：H01L21/8234

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.26#实质审查的生效;2024.03.08#公开

摘要：本发明提供了一种半导体结构的形成方法及FinFET器件的制造方法，所述形成方法包括：提供一衬底，衬底上形成有多个间隔排列的鳍片；在衬底上形成第一介质层，第一介质层至少填充至多个鳍片的部分高度；在第一介质层上形成图形化的掩模层，图形化的掩模层定义截断区域；执行蚀刻工艺去除开口内的鳍片，并在第一介质层中形成间隙，利用间隙截断鳍片。本发明通过首先形成完整的鳍片，以减轻蚀刻形成鳍片时的负载效应从而提高鳍片的尺寸稳定性，再在截断鳍片去除部分鳍片时，利用第一介质层及图形化的掩模层保护开口之外的鳍片，防止开口之外的鳍片被损伤，由此而解决截断鳍片后鳍片的变形问题。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有多个间隔排列的鳍片；在所述衬底上形成第一介质层，填充至所述鳍片的至少部分高度；在所述第一介质层上形成图形化的掩模层，所述图形化的掩模层的开口定义所述半导体结构的截断区域；执行蚀刻工艺去除所述开口内的鳍片，并在所述第一介质层中形成间隙，所述间隙截断所述鳍片。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 半导体结构的形成方法及FinFET器件的制造方法

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