申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2023-08-18

公开（公告）日：2024-02-23

公开（公告）号：CN117594561A

主分类号：H01L23/525

分类号：H01L23/525;H01L27/092

优先权：["20220819 US 17/891,523"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.02.23#公开

摘要：本公开涉及一种使用FinFET架构的反熔丝。多种应用可包含具有一或多个反熔丝的设备，其中所述反熔丝使用FinFET架构的组件而被构造。反熔丝可包含栅极、多个源极漏极区及一或多个鳍片，所述一或多个鳍片通过电介质与所述栅极分离且单独地连接到所述多个源极漏极区中的选定者。所述一或多个鳍片连接到其相关联源极漏极区且可从其相关联源极漏极区延伸到所述栅极下方的终端鳍片位置。

主权项：1.一种反熔丝，其包括：第一源极漏极区；第二源极漏极区；栅极；第一鳍片，其接触所述第一源极漏极区且从所述第一源极漏极区延伸到所述栅极下方的第一位置，所述第一鳍片在所述第一位置处结束，所述第一鳍片通过第一电介质与所述栅极分离；和第二鳍片，其接触所述第二源极漏极区且从所述第二源极漏极区延伸到所述栅极下方的第二位置，所述第二鳍片在所述第二位置处结束，所述第二鳍片通过第二电介质与所述栅极分离，所述第二鳍片从所述第一鳍片偏移，使得所述第一鳍片与所述第二鳍片不相交。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 使用FINFET架构的反熔丝

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