申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2023-08-08

公开（公告）日：2024-02-23

公开（公告）号：CN117594654A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/417;H01L21/336;H10B12/00

优先权：["20220809 US 17/883,919"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.02.23#公开

摘要：本公开涉及寄生效应减小的FinFET。各种应用可包含一种具有鳍式场效应晶体管的设备，所述鳍式场效应晶体管具有围绕鳍包覆以维持良好沟道控制的栅极以及用以降低密勒电容和接触电阻的平坦源极区和漏极区。可将减小的寄生电容和电阻转换成较高性能和较低功率。鳍式场效应晶体管可包含块体半导体区，所述块体半导体区具有构造为所述块体半导体区的第一顶部部分的平坦源极区和构造为所述块体半导体区的第二顶部部分的平坦漏极区，其中一或多个半导体鳍通过围绕所述一或多个半导体鳍包覆的栅极接触所述平坦源极区和所述平坦漏极区。

主权项：1.一种鳍式场效应晶体管，其包括：块体半导体区，其具有凹入区，所述块体半导体区位于衬底上；源极区，其构造为所述块体半导体区的第一顶部部分，所述源极区邻近于所述凹入区的第一侧定位；漏极区，其构造为所述块体半导体区的第二顶部部分，所述漏极区邻近于所述凹入区的第二侧定位，所述第一侧与所述第二侧相对；一或多个半导体鳍，其处于所述凹入区中，所述一或多个半导体鳍接触所述源极区和所述漏极区；以及栅极，其围绕所述一或多个半导体鳍包覆，所述栅极至少部分地处于所述凹入区中。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 寄生效应减小的FinFET

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