申请/专利权人：中微半导体设备(上海)股份有限公司

申请日：2022-09-06

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117712002A

主分类号：H01L21/68

分类号：H01L21/68;H01L21/67;H01J37/32

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本发明公开了一种斜面刻蚀设备及晶圆中心对准方法，所述晶圆中心对准机构包括：环绕斜面刻蚀设备的基座设置的至少两个第一对准单元和至少一个第二对准单元。第一对准单元设有朝基座中心径向延伸的第一基准部和第二基准部；第二基准部与第一基准部在径向方向的尺寸差为晶圆与基座的半径差；第一基准部在第二基准部接触基座侧面时对晶圆的中心进行预定位。第二对准单元用于推动晶圆，使得晶圆的边缘与第一基准部的端部接触，以将晶圆的中心与基座的中心对准。本发明能够提高对准效率，保证晶圆相对基座的中心度，提高晶圆边缘刻蚀效果，保证晶圆良率。

主权项：1.一种斜面刻蚀设备，包括：腔体；基座，位于所述腔体内，并用于承载晶圆；其特征在于，还包括晶圆中心对准机构，所述晶圆中心对准机构包括：环绕所述基座设置的至少两个第一对准单元和至少一个第二对准单元；所述第一对准单元设有朝所述基座中心径向延伸的第一基准部和第二基准部；所述第二基准部与所述第一基准部在径向方向的尺寸差为所述晶圆与所述基座的半径差；所述第一基准部在所述第二基准部接触所述基座侧面时对所述晶圆的中心进行预定位；所述第二对准单元用于推动所述晶圆，使得所述晶圆的边缘与所述第一基准部的端部接触，以将所述晶圆的中心与所述基座的中心对准。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种斜面刻蚀设备及晶圆中心对准方法

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