申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-09-07

公开（公告）日：2024-03-15

公开（公告）号：CN117712147A

主分类号：H01L29/10

分类号：H01L29/10;H01L27/092;H01L21/8238;H01L27/02

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.02#实质审查的生效;2024.03.15#公开

摘要：本公开实施例提供一种半导体结构及其形成方法、版图结构，其中，半导体结构包括：衬底、以及位于所述衬底表面沿第一方向和第二方向阵列排布的晶体管结构，所述晶体管结构包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的沟道结构和所述第二晶体管的沟道结构均沿第三方向延伸；其中，所述第一方向与所述第二方向为所述衬底所在平面内的任意两个方向，所述第三方向与所述衬底所在的平面相交。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底、以及位于所述衬底表面沿第一方向和第二方向阵列排布的晶体管结构，所述晶体管结构包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的沟道结构和所述第二晶体管的沟道结构均沿第三方向延伸；其中，所述第一方向与所述第二方向为所述衬底所在平面内的任意两个方向，所述第三方向与所述衬底所在的平面相交。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体结构及其形成方法、版图结构

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