申请/专利权人：亚德诺半导体国际无限责任公司

申请日：2019-07-23

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN110752827B

主分类号：H03F1/02

分类号：H03F1/02;H03F1/32;H03F3/21

优先权：["20180723 US 16/042,782"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2022.01.21#专利申请权的转移;2020.02.28#实质审查的生效;2020.02.04#公开

摘要：本公开的各方面涉及用于功率放大器的自适应偏置电路。自适应偏置电路可包括分流电阻器布置和或浮栅线性化器布置。

主权项：1.一种用于功率放大器以增强所述功率放大器的偏置斜坡的线性化的偏置电路，该偏置电路包括：场效应晶体管FET；线性化器布置，被配置为使所述FET的栅极端子浮置以产生具有二次斜坡的偏置信号；和电阻器布置，与所述线性化器布置并联电连接，所述电阻器布置被配置为向所述偏置信号添加线性项，其中所述线性化器布置和所述电阻器布置被配置为在所述功率放大器的输入端提供偏置信号，其中所述线性化器布置是包括所述FET的浮栅线性化器布置，其中所述FET包括第一端子、第二端子和栅极端子，其中所述栅极端子电连接到第一电阻器的第一端，并且其中所述FET的第一端子还电连接到第一节点，并且其中所述第一节点电连接到所述功率放大器的输入。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 亚德诺半导体国际无限责任公司 用于高效互补金属氧化物半导体(CMOS)功率放大器的偏置电路

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