申请/专利权人：英诺赛科(珠海)科技有限公司

申请日：2023-12-25

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN117457736B

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L29/417;H01L29/423

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2024.02.13#实质审查的生效;2024.01.26#公开

摘要：本发明提供一种晶体管结构和芯片，该晶体管结构包括：衬底基板、有源层、栅极和电极部；栅极包括：栅极部；栅极部包括位于有源区的第一栅极部和位于无源区的第二栅极部；第一栅极部中第一栅极子部沿第一方向的宽度大于第二栅极子部沿第一方向的宽度；第二栅极部沿第一方向的宽度大于等于第一栅极子部沿第一方向的宽度；电极部包括位于有源区的第一电极部和位于无源区的第二电极部；第一电极部中第二电极子部沿第一方向的宽度大于第一电极子部沿第一方向的宽度；第一电极子部沿第一方向的宽度大于等于第二电极部沿第一方向的宽度。本发明能使避免在HTGB测试后由于栅极部损耗过大或边缘区域栅极部被击穿而导致的漏电，增强晶体管的性能和寿命。

主权项：1.一种晶体管结构，其特征在于，包括：衬底基板、有源层、栅极和电极部；所述栅极包括：栅极部；所述栅极部沿第二方向延伸，在所述第二方向上被划分为相互连接的第一栅极部和第二栅极部，所述第一栅极部在所述衬底基板上的正投影位于所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域内，所述第二栅极部在所述衬底基板上的正投影位于所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域外；所述第一栅极部包括第一栅极子部和第二栅极子部，所述第一栅极子部远离所述第二栅极子部的一端与所述第二栅极部连接；所述第一栅极子部沿第一方向的宽度大于所述第二栅极子部沿所述第一方向的宽度；所述第二栅极部沿所述第一方向的宽度大于等于所述第一栅极子部沿所述第一方向的宽度，所述第一方向与所述第二方向垂直；所述电极部包括相互连接的第一电极部和第二电极部，所述第一电极部在所述衬底基板上的正投影位于所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域内，所述第二电极部在所述衬底基板上的正投影位于所述有源层在所述衬底基板上的正投影区域外；所述第一电极部包括第一电极子部和第二电极子部，所述第一电极子部远离所述第二电极子部的一端与所述第二电极部连接；所述第二电极子部沿所述第一方向的宽度大于所述第一电极子部沿所述第一方向的宽度；所述第一电极子部沿第一方向的宽度大于等于所述第二电极部沿所述第一方向的宽度。

全文数据：

权利要求：

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