申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

申请日：2022-07-19

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN115284162B

主分类号：B24B37/005

分类号：B24B37/005;B24B49/12;H01L21/67;H01L21/66

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2022.11.22#实质审查的生效;2022.11.04#公开

摘要：本发明提供一种介质层的物理性能、半导体芯片性能的监测方法，其中介质层的物理性能的监测方法包括：建立椭圆偏振法以测试介质层相关物理参数的光学量程式；获取之前至少两个生产批次中所有介质层的折射率及其研磨率；根据所述介质层的折射率及其研磨率，建立数据模型；测试当前生产批次中的介质层的折射率；利用所述数据模型获取当前生产批次中的介质层对应的研磨率。本申请通过根据所述介质层的折射率及其研磨率，建立有效的数据模型来合理预测当前批次及之后所有批次的介质层的研磨率，并且根据不断生产的批次还可以动态修正所述数据模型，实现了介质层的物理性能的动态监测和精确监控。

主权项：1.一种介质层的物理性能的监测方法，其特征在于，包括：建立椭圆偏振法以测试介质层的多个物理参数的光学量程式；根据所述光学量程式，获取之前至少两个生产批次中所有介质层的折射率；并收集研磨机台中各介质层对应的研磨率；根据所述介质层的折射率和所述介质层的研磨率，建立数据模型，其中，所述介质层为低介电常数介质层，所述数据模型为低介电常数介质层的研磨率与低介电常数介质层的折射率的线性关系；获取当前生产批次中的介质层的折射率；根据当前生产批次中的介质层的折射率，利用所述数据模型获取当前生产批次中的介质层对应的研磨率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 介质层的物理性能、半导体芯片性能的监测方法

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