申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2019-02-28

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN111627861B

主分类号：H01L21/8238

分类号：H01L21/8238;H01L27/092;H01L29/78

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2020.09.29#实质审查的生效;2020.09.04#公开

摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在基底上形成栅极结构；在栅极结构侧壁上形成偏移侧墙；以栅极结构和偏移侧墙为掩膜对基底进行第一离子掺杂，在基底中形成应力区域；第一离子掺杂之后，在偏移侧墙的侧壁上形成栅极侧墙；以栅极结构、偏移侧墙以及栅极侧墙为掩膜对基底进行第二离子掺杂，在基底中形成源漏掺杂区。本发明还提供一种半导体结构，包括：基底；栅极结构，位于基底上；偏移侧墙，位于栅极结构侧壁上；栅极侧墙，位于偏移侧墙的侧壁上；应力区域，为位于栅极结构和偏移侧墙两侧基底中的掺杂区；源漏掺杂区，位于栅极结构、偏移侧墙和栅极侧墙两侧基底中。本发明可以提高半导体结构的电子迁移率。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括用于形成P型晶体管的第一区域，以及用于形成N型晶体管的第二区域；在基底上形成栅极结构；在所述栅极结构侧壁上形成偏移侧墙；以所述栅极结构和偏移侧墙为掩膜对所述基底进行第一离子掺杂，在所述基底中形成应力区域；在第一离子掺杂之后，在栅极结构和偏移侧墙露出的所述第二区域基底中形成凹槽；在所述凹槽中填充应力材料，在所述基底中形成应力层；第一离子掺杂之后，在所述偏移侧墙的侧壁上形成栅极侧墙；以所述栅极结构、偏移侧墙以及栅极侧墙为掩膜对所述基底进行第二离子掺杂，在所述基底中形成源漏掺杂区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法

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