申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司

申请日：2018-10-23

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN111066240B

主分类号：H03F3/45

分类号：H03F3/45;G01N27/414;G01R29/12;H03F3/68

优先权：["20171023 JP 2017-204295","20180309 JP 2018-043463"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2020.10.02#实质审查的生效;2020.04.24#公开

摘要：[要解决的技术问题]本发明旨在提供能够通过减小单元电路面积来实现高分辨率的半导体器件。[技术方案]本发明提供了一种半导体器件，其包括：第一区域，在所述第一区域中以阵列形式布置有读出单元，各所述读出单元具有用于构成差分放大器的输入晶体管之中的一个输入晶体管；以及第二区域，在所述第二区域中以阵列形式布置有参考单元，各所述参考单元具有用于构成所述差分放大器的所述输入晶体管之中的另一个输入晶体管，其中所述第一区域和所述第二区域彼此分离。

主权项：1.一种半导体器件，其包括：第一区域，在所述第一区域中以阵列形式布置有读出单元，各所述读出单元具有用于构成差分放大器的输入晶体管之中的一个输入晶体管；以及第二区域，在所述第二区域中以阵列形式布置有参考单元，各所述参考单元具有用于构成所述差分放大器的所述输入晶体管之中的另一个输入晶体管，所述第一区域和所述第二区域彼此分离，所述第二区域包括第一部分和第二部分，所述第一部分设置在所述第一区域的第一侧并且所述第二部分设置在所述第一区域的与所述第一侧相对的第二侧使得所述第一区域被夹在所述第二区域的所述第一部分和所述第二部分之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 索尼半导体解决方案公司 半导体器件和电位测量装置

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