申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2020-07-17

公开（公告）日：2024-03-19

公开（公告）号：CN113948462B

主分类号：H01L21/82

分类号：H01L21/82;H01L29/06;H01L27/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.19#授权;2022.02.08#实质审查的生效;2022.01.18#公开

摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：在目标层上形成第一核心层，沿第二方向相邻第一核心层相对的侧壁分别为第一侧壁和第二侧壁；在目标层上形成覆盖第一侧壁且与第二侧壁相间隔的牺牲层；在第一核心层和牺牲层的侧壁上形成第一侧墙；在位于牺牲层侧壁与位于第二侧壁的第一侧墙之间形成第二核心层；在目标层上形成覆盖第二核心层和第一侧墙侧壁的填充层；去除牺牲层形成沟槽；去除位于沟槽侧壁的第一侧墙，形成位于沟槽侧壁的第二侧墙以及由第二侧墙围成的第一凹槽；去除第二核心层形成第二凹槽；去除第一核心层形成第三凹槽；图形化第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽下方的目标层，形成目标图形。本发明实施例有利于提高目标图形的图形精度。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，包括用于形成目标图形的目标层；在所述目标层上，形成沿第一方向延伸且沿第二方向间隔排布的第一核心层，第二方向垂直于第一方向，沿第二方向相邻第一核心层相对的侧壁分别为第一侧壁和第二侧壁；在所述第一侧壁和第二侧壁之间的目标层上形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述第一侧壁且与所述第二侧壁相间隔；在所述第一核心层和牺牲层的侧壁上形成第一侧墙；在位于所述牺牲层侧壁与位于第二侧壁的第一侧墙之间的目标层上，形成第二核心层；在所述目标层上形成覆盖所述第二核心层和第一侧墙侧壁的填充层；去除所述牺牲层，在所述填充层中形成暴露出第一侧壁的沟槽；去除位于所述沟槽侧壁的第一侧墙，在所述沟槽的侧壁上形成第二侧墙，位于所述沟槽侧壁的第二侧墙围成第一凹槽；形成所述第一凹槽后，去除所述第二核心层，形成第二凹槽；去除所述第一核心层，形成第三凹槽，所述第三凹槽与相邻的第二凹槽之间由第一侧墙相隔离，所述第三凹槽与相邻的第一凹槽之间、以及所述第二凹槽与相邻的第一凹槽之间由第二侧墙相隔离；以所述第一侧墙、第二侧墙和填充层为掩膜，图形化所述第一凹槽、第二凹槽和第三凹槽下方的目标层，形成目标图形。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD