申请/专利权人：许晋铭

申请日：2023-12-21

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747576A

主分类号：H01L23/488

分类号：H01L23/488;H01L23/544;H01L21/60

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种异质整合晶圆接合的新型半导体结构及其制作工艺，包括重新布线层和凸点下金属材层，凸点下金属材层设置有原金属垫，在重新布线层和凸点下金属材层之间基于原金属垫设置一层焊盘结构，焊盘结构包括覆盖设置在原金属垫上的氮化硅保护层，在氮化硅保护层上设置有一层第一氧化硅介电质保护层，且在氮化硅保护层和第一氧化硅介电质保护层上蚀刻去除有使原金属垫露出的第一粘结部；避免良率差的晶粒进行之后的异质整合晶圆接合的制程及接下来的切割、老化、最终测试，从而不会牺牲另一颗相互接合的晶粒以及浪费老化、最终测试和切割的费用。

主权项：1.一种异质整合晶圆接合的新型半导体结构，其特征在于，包括重新布线层和凸点下金属材层，凸点下金属材层设置有原金属垫，在重新布线层和凸点下金属材层之间基于原金属垫设置一层焊盘结构，焊盘结构包括覆盖设置在原金属垫上的氮化硅保护层，在氮化硅保护层上设置有一层第一氧化硅介电质保护层，且在氮化硅保护层和第一氧化硅介电质保护层上蚀刻去除有使原金属垫露出的第一粘结部；在第一氧化硅介电质保护层上设置有第一金属线层，第一金属线层通过第一粘结部与原金属垫接触，在第一氧化硅介电质保护层上设置覆盖于第一金属线层的第二氧化硅介电质保护层，且在第二氧化硅介电质保护层上蚀刻去除有使第一金属线层露出的第二粘结部；在第二氧化硅介电质保护层上设置有第二金属线层，第二金属线层通过第二粘结部与第一金属线层接触，在第二氧化硅介电质保护层上设置覆盖于第二金属线层的第三氧化硅介电质保护层，且在第三氧化硅的介电质保护层上蚀刻去除有使第二金属线层露出的第三粘结部；设置切割道，使第三粘结部位于切割道上，并作为探针卡接触用的新金属垫。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 许晋铭 一种异质整合晶圆接合的新型半导体结构及其制作工艺

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