申请/专利权人：上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司

申请日：2023-11-30

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117747534A

主分类号：H01L21/762

分类号：H01L21/762;H01L27/12

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.09#实质审查的生效;2024.03.22#公开

摘要：本发明所述的一种提高SOI硅片均匀性的方法，涉及半导体硅片制作技术领域，包括首先将两块硅片中的至少一片的表面作热氧化处理，然后将完成热氧化处理的硅片注入氢离子，并通过控制所述氢离子的能量，达到所述氢离子在硅片中预设深度值，接着将完成注氢离子的硅片与另一片提前热氧化或者未热氧化的硅片在键合机中利用范德华力进行键合处理，最后将完成键合的两块硅片在300℃‑500℃的条件下进行退火处理，使注入的所述氢离子形成气泡，并从硅片中剥离，将剥离后的两块硅片作平坦化处理，分别得到第一目标硅片产品与第二目标硅片产品。通过本发明解决了传统制作方法SOI硅片均匀性低，且成本过高的问题。

主权项：1.一种提高SOI硅片均匀性的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1:将两块硅片中的至少一片的表面作热氧化处理；步骤S2:将完成热氧化处理的硅片注入氢离子，并通过控制所述氢离子的能量，达到所述氢离子在硅片中预设深度值；步骤S3:将完成注氢离子的硅片与另一片提前热氧化或者未热氧化的硅片在键合机中利用范德华力进行键合处理；步骤S4:将完成键合的两块硅片在300℃-500℃的条件下进行退火处理，使注入的所述氢离子形成气泡，并从硅片中剥离；步骤S5:将剥离后的两块硅片作平坦化处理，分别得到第一目标硅片产品与第二目标硅片产品。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海超硅半导体股份有限公司;重庆超硅半导体有限公司 一种高均匀性SOI硅片的制作方法

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