申请/专利权人：株式会社电装

申请日：2020-03-17

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN111725078B

主分类号：H01L21/50

分类号：H01L21/50

优先权：["20190320 JP 2019-053429"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.10.12#实质审查的生效;2020.09.29#公开

摘要：在半导体装置中，第一基板10和第二基板40通过绝缘膜30彼此接合。在第一基板10与第二基板40之间设置有气密室50，在该气密室50内封闭有感测部20。第二基板40具有在第一基板10和第二基板40的堆叠方向上贯通的通孔61，并露出第一基板10的第一表面10a。贯通电极63设置在第二基板40的通孔61的壁表面上，并与感测部20电连接。在位于气密室50与通孔61之间的位置处设置有排出路径80，用于将接合时产生的废气从气密室释放至通孔。

主权项：1.一种半导体装置，包括：具有第一表面10a的第一基板10；具有第二表面40a的第二基板40，所述第二基板40接合到所述第一基板10，使得所述第二表面40a面向所述第一基板10的所述第一表面10a，并且在所述第一基板10与所述第二基板40之间设置有气密室50，所述第二基板40具有多个通孔61，所述多个通孔61沿所述第一基板和所述第二基板的堆叠方向贯通所述第二基板40并暴露所述第一基板10的所述第一表面10a；设置在所述第一基板10的所述第一表面10a与所述第二基板40的所述第二表面40a之间的绝缘膜30；设置在所述气密室50中的感测部20，所述感测部20包括振动器；设置在所述第二基板40的所述通孔61的壁表面上的多个贯通电极63，所述贯通电极63与所述感测部20电连接；和多个排出路径80，每个所述排出路径80由通过所述绝缘膜30限定的凹槽提供，所述多个排出路径在位于所述气密室50与所述通孔61之间的位置处对应于所述通孔设置，以将废气从所述气密室释放到所述通孔。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社电装 具有排出路径的半导体装置及其制造方法

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