申请/专利权人：度亘核芯光电技术(苏州)有限公司

申请日：2023-11-22

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN117277049B

主分类号：H01S5/02

分类号：H01S5/02;H01S5/028

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2024.01.09#实质审查的生效;2023.12.22#公开

摘要：本发明提供了一种半导体器件钝化装置及方法，涉及半导体器件的技术领域，装置包括：解理腔、成膜腔和第一缓冲腔，第一缓冲腔的一端与解理腔连接，且连接处设置有第一阀门；第一缓冲腔的另一端与成膜腔连接，且连接处设置有第二阀门。半导体器件可以被运输至解理腔内，然后将解理腔内环境参数设定完毕，进行解理，将半导体器件解理成巴条，然后开启第一阀门，将巴条输送至第一缓冲腔内，关闭第一阀门并开启第二阀门，被输送至成膜腔内的巴条可以在成膜腔内进行钝化膜生长。由于将解理和钝化两个步骤分开在不同的腔室进行，可以对解理腔和钝化腔的环境参数进行分别限定，无需反复调节。

主权项：1.一种半导体器件钝化装置，其特征在于，包括：解理腔（1）；成膜腔（2）；第一缓冲腔（3），所述第一缓冲腔（3）的一端与解理腔（1）连接，且连接处设置有第一阀门；所述第一缓冲腔（3）的另一端与成膜腔（2）连接，且连接处设置有第二阀门；还包括：退火腔（4）；第二缓冲腔（5），所述第二缓冲腔（5）的一端与成膜腔（2）连接，且连接处设置有第三阀门；所述第二缓冲腔（5）的另一端与退火腔（4）连接，且连接处设置有第四阀门；所述成膜腔（2）内设置有喷射装置，所述喷射装置用于向腔面上喷射钝化溶液；所述喷射装置包括外壳（61）、内壳（62）、注液管路（63）、加压管路（64）和喷头（65）；所述内壳（62）位于所述外壳（61）的内部，且二者之间形成间隙；所述注液管路（63）、加压管路（64）和喷头（65）的内端均与内壳（62）连通，外端均穿过所述外壳（61）并位于外壳（61）的外侧；所述喷射装置还包括调节阀门（66），所述调节阀门（66）设置在所述喷头（65）处，用于调节所述喷头（65）出液速率；所述半导体器件钝化装置还包括膜厚监测设备和真空度检测设备，所述膜厚监测设备用于检测腔面上的成膜厚度，所述真空度检测设备用于检测成膜腔（2）内的真空度；通过调节阀门（66）调节喷射的速度，进而改变真空度，从而控制薄膜厚度。

全文数据：

权利要求：

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