申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

申请日：2019-11-26

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN112951720B

主分类号：H01L21/3213

分类号：H01L21/3213;H01L21/311

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.07.02#实质审查的生效;2021.06.11#公开

摘要：一种半导体结构的形成方法、半导体器件，形成方法包括：提供基底，基底上形成有待刻蚀层；在待刻蚀层上形成多个分立的核心层；在核心层的侧壁上形成第一侧墙，核心层与位于核心层侧壁上的第一侧墙构成一组图形单元，多组图形单元之间间隔排列；形成位于图形单元侧壁上的第二侧墙，相邻的第二侧墙与待刻蚀层围成凹槽；在凹槽中形成第三侧墙；去除核心层；去除第二侧墙，以第一侧墙和第三侧墙为掩膜，刻蚀待刻蚀层，形成目标图形。本发明实施例有利于防止相邻核心层之间的间距落入光刻工艺的禁止周期中，进而有利于降低形成核心层的光刻工艺的工艺难度、增大形成核心层的光刻工艺的工艺窗口，相应有利于提高目标图形的形成质量。

主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有待刻蚀层；在所述待刻蚀层上形成多个分立的核心层，相邻所述核心层之间的间距是所述核心层宽度的6倍；在所述核心层的侧壁上形成第一侧墙，所述核心层与位于所述核心层侧壁上的所述第一侧墙构成一组图形单元，多组所述图形单元之间间隔排列；形成位于所述图形单元侧壁上的第二侧墙，相邻的第二侧墙与所述待刻蚀层围成凹槽；形成所述第二侧墙的步骤包括：在所述第一侧墙的侧壁和顶面、以及核心层顶面和待刻蚀层上形成第一侧墙膜，位于所述第一侧墙的侧壁上的第一侧墙膜用于作为所述第二侧墙；形成所述第二侧墙后，所述半导体结构的形成方法还包括：去除位于所述第一侧墙和核心层的顶面、以及所述待刻蚀层表面的第一侧墙膜；在所述凹槽中形成第三侧墙；在去除位于所述第一侧墙和核心层的顶面、以及所述待刻蚀层表面的第一侧墙膜之后，形成所述第三侧墙；形成所述第三侧墙的步骤包括：形成填充所述凹槽且覆盖所述第二侧墙顶部的第二侧墙膜；去除高于所述第一侧墙的第二侧墙膜，位于凹槽内的剩余第二侧墙膜作为所述第三侧墙；所述第一侧墙的宽度、第二侧墙的宽度、以及所述第三侧墙的宽度均与所述核心层的宽度相同；去除所述核心层；去除所述第二侧墙，以所述第一侧墙和第三侧墙为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层，形成目标图形。

全文数据：

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