申请/专利权人：华邦电子股份有限公司

申请日：2020-06-03

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN112309478B

主分类号：G11C16/26

分类号：G11C16/26;G11C16/04;G06F11/10;G11C29/42

优先权：["20190729 JP 2019-138606"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.02.23#实质审查的生效;2021.02.02#公开

摘要：本发明提供一种半导体装置及连续读出方法，闪存等半导体装置的连续读出方法包括：在输出保持于页面缓冲器感测电路的锁存器L1的高速缓存C0的数据之后，从存储单元阵列读出下一页的高速缓存C0的数据，并将所读出的高速缓存C0的数据保持于锁存器L1，且在输出保持于锁存器L1的高速缓存C1的数据之后，从存储单元阵列读出相同的下一页的高速缓存C1的数据，并将所读出的高速缓存C1的数据保持于锁存器L1。

主权项：1.一种连续读出方法，其特征在于，包括：在输出保持于页面缓冲器感测电路的锁存器的第一高速缓存的第一页数据之后，从存储单元阵列读出下一页的所述第一页数据，并将所读出的所述第一页数据保持于所述锁存器，且在输出保持于所述锁存器的第二高速缓存的第二页数据之后，从所述存储单元阵列读出所述下一页的所述第二页数据，并将所读出的所述第二页数据保持于所述锁存器，其中所述第一页数据及所述第二页数据分别是在所述存储单元阵列的选择页的列地址方向上连续的12页的数据。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华邦电子股份有限公司 半导体装置及连续读出方法

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