申请/专利权人：厦门士兰明镓化合物半导体有限公司

申请日：2023-08-29

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN220652033U

主分类号：H01L33/36

分类号：H01L33/36;H01L33/24;H01L33/10

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权

摘要：本实用新型提供了一种发光二极管，包括：衬底，所述衬底的第一表面形成有第一电极；键合结构，位于所述衬底的与所述第一表面相背的第二表面；反射镜结构，位于所述键合结构上；外延层，位于所述反射镜结构上，所述外延层包括自下向上依次堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述有源层位于部分所述第一半导体层上，远离所述有源层的第一半导体层的边缘形成有贯穿所述第一半导体层并延伸进入所述反射镜结构中的凹槽，所述第一半导体层与所述第二半导体层的掺杂类型相反；第二电极，至少位于所述凹槽的内壁，且所述第二电极与所述反射镜结构电连接；第三电极，位于所述第二半导体层上。本实用新型的发光二极管的光电效率得到明显提高。

主权项：1.一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底的第一表面形成有第一电极；键合结构，位于所述衬底的与所述第一表面相背的第二表面；反射镜结构，位于所述键合结构上；外延层，位于所述反射镜结构上，所述外延层包括自下向上依次堆叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述有源层位于部分所述第一半导体层上，远离所述有源层的第一半导体层的边缘形成有贯穿所述第一半导体层并延伸进入所述反射镜结构中的凹槽，所述第一半导体层与所述第二半导体层的掺杂类型相反；第二电极，至少位于所述凹槽的内壁，且所述第二电极与所述反射镜结构电连接；第三电极，位于所述第二半导体层上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 厦门士兰明镓化合物半导体有限公司 发光二极管

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