申请/专利权人：广东凯迪微智能装备有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810063A

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;B08B3/08

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明涉及清洗方法领域的一种衬底晶片的清洗方法，包括以下步骤：第一步、SPM溶液清洗，晶片放入SPM槽体中进行浸泡；第二步、HF溶液清洗，晶片放入DHF槽体内浸泡；第三步、SC2溶液清洗，将晶片放入SC2槽体内浸泡；第四步、SC1溶液清洗，将晶片放入SC2槽体内浸泡；第五步、干燥晶片，晶片在IPA槽体内蒸气干燥，使用180℃的热氮烘干，离子风吹气，有效减少SC2制程中颗粒的交叉污染，前三步的清洗所使用的SPM溶液、HF溶液和SC2溶液均为酸性药液，第四步的所使用的SC1溶液为碱性药液，有效避免酸碱交叉中和反应，有效去除晶片表面的颗粒物、有机污染物以及金属离子。

主权项：1.一种衬底晶片的清洗方法，其特征在于：包括以下步骤：第一步.SPM溶液清洗：制备SPM溶液，SPM溶液由浓度为98％的浓硫酸液体和浓度为30％的过氧化氢液体混合构成，浓硫酸液体和过氧化氢液体的混合比例为3:1，SPM溶液通过SPM槽体进行配制，配置后SPM溶液的温度维持在120℃-130℃，通过机械手臂将晶片放入SPM槽体中进行浸泡250s-350s；第二步.HF溶液清洗：制备HF溶液，HF溶液由浓度为49％的氢氟酸、浓度为30％的过氧化氢和纯水混合构成，氢氟酸、过氧化氢和纯水的混合比例为1:2:100，HF溶液通过DHF槽体进行配置，通过机械手臂将晶片放入DHF槽体内浸泡250s-350s；第三步.SC2溶液清洗：制备SC2溶液，SC2溶液由浓度为36％的盐酸、30％的过氧化氢和纯水混合构成，盐酸、过氧化氢和纯水的混合比例为1:2:150，SC2溶液通过SC2槽体进行配置，配置后SC2溶液的温度维持20℃-40℃，通过机械手臂将晶片放入SC2槽体内浸泡250s-350s；第四步.SC1溶液清洗：制备SC1溶液，SC1溶液由浓度为30％的氨水、浓度为30％的过氧化氢和纯水混合构成，氨水、过氧化氢和纯水的混合比例为1:2:8，SC1溶液通过SC1槽体进行配置，配置后SC1溶液的温度维持55℃-75℃，通过机械手臂将晶片放入SC2槽体内浸泡500s-700s；第五步.干燥晶片：通过IPA槽体对晶片进行干燥，晶片在IPA槽体内先通过蒸气干燥350s-450s，之后通过160℃-200℃的热氮烘干500S-700s，最后通过离子风吹气5s-15s。

全文数据：

权利要求：

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