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【发明公布】MEMS芯片结构及MEMS声学传感器_歌尔微电子股份有限公司_202311604697.9 

申请/专利权人:歌尔微电子股份有限公司

申请日:2023-11-28

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN117812511A

主分类号:H04R19/04

分类号:H04R19/04

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要:本发明属于声音设备技术领域,具体涉及一种MEMS芯片结构及MEMS声学传感器。本发明中的MEMS芯片结构包括衬底、第一膜片组件和第二膜片组件,衬底内具有容纳腔,第一膜片组件设于容纳腔且周向与衬底相连,第一膜片组件包括第一可形变阀片,第二膜片组件设于容纳腔且周向与衬底相连,第一膜片组件和第二膜片组件间隔设置且之间形成间隔空间,第二膜片组件包括第二可形变阀片,第一可形变阀片和第二可形变阀片能够分别沿容纳腔的延伸方向形变,以使第一膜片组件背离第二膜片组件的一侧通过间隔空间与第二膜片组件背离第一膜片组件的一侧相连通。根据本发明的MEMS芯片结构,保证MEMS芯片结构在遇到大气流时能够进行泄气。

主权项:1.一种MEMS芯片结构,其特征在于,包括:衬底,内具有容纳腔;第一膜片组件,设于所述容纳腔且周向与所述衬底相连,所述第一膜片组件包括第一可形变阀片;第二膜片组件,设于所述容纳腔且周向与所述衬底相连,沿所述容纳腔的延伸方向,所述第一膜片组件和所述第二膜片组件间隔设置且之间形成间隔空间,所述第二膜片组件包括第二可形变阀片,所述第一可形变阀片和所述第二可形变阀片能够分别沿所述容纳腔的延伸方向形变,以使所述第一膜片组件背离所述第二膜片组件的一侧通过所述间隔空间与所述第二膜片组件背离所述第一膜片组件的一侧相连通。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 歌尔微电子股份有限公司 MEMS芯片结构及MEMS声学传感器

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