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【发明公布】半导体器件热凸块_高通股份有限公司_202280054274.1 

申请/专利权人:高通股份有限公司

申请日:2022-07-20

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN117813683A

主分类号:H01L23/367

分类号:H01L23/367;H01L29/737

优先权:["20210817 US 17/404,590"]

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要:公开了一种半导体器件,诸如功率放大器。与常规功率放大器不同,热凸块被图案化以仅覆盖有源器件。以此方式,可减小该半导体器件的尺寸。

主权项:1.一种半导体器件,所述半导体器件包括:多个单位单元,所述多个单位单元包括位于基板上的多个有源器件,所述多个有源器件具有第一方向上的第一宽度并且沿着第二方向上的第一长度对准;第一金属层,所述第一金属层被图案化以在所述多个有源器件上形成多个热焊盘;第二金属层,所述第二金属层被图案化以形成第一热凸块端部和第二热凸块端部以及连接在所述第一热凸块端部和所述第二热凸块端部之间的热凸块,所述热凸块具有所述第一方向上的第二宽度和所述第二方向上的第二长度,所述热凸块形成在所述多个热焊盘上;第三金属层,所述第三金属层被图案化以在所述热凸块上形成热棒;以及热柱,所述热柱形成在所述热棒上,其中所述多个有源器件通过所述多个热焊盘、所述热凸块和所述热棒热耦合到所述热柱,其中所述第一热凸块端部和所述第二热凸块端部各自具有比所述第二宽度大的宽度,所述第一热凸块端部和所述第二热凸块端部之间的区域被划分为有源区域和非有源区域,所述有源区域是所述区域的由所述热凸块占据的部分,并且所述非有源区域是所述区域的剩余部分,并且其中所述热凸块的所述第二宽度和所述第二长度被定向成使得所述有源区域重叠所述多个有源器件的所述第一宽度和所述第一长度。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 高通股份有限公司 半导体器件热凸块

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