申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-09-22

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810209A

主分类号：H01L23/64

分类号：H01L23/64;H01L25/16;H10B80/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本公开提供一种半导体封装结构，涉及半导体技术领域，半导体封装结构包括：基板；至少一个芯片堆叠结构，设置在基板上，每个芯片堆叠结构包括垂直堆叠的多个第一芯片，每个第一芯片中包括第一导电插塞组，相邻两个第一芯片之间设置有连接层，连接层中设置导线结构，导线结构分别电连接与其相邻的两个第一芯片中的第一导电插塞组，与同一导线结构电连接的两个第一导电插塞组在基板上的投影错开设置；多个第一芯片中的第一导电插塞组通过导线结构串联，以形成电感结构。在本公开中，在芯片堆叠结构中形成嵌入式的电感结构，而无需外接额外的电感器。

主权项：1.一种半导体封装结构，其特征在于，所述半导体封装结构包括：基板；至少一个芯片堆叠结构，设置在所述基板上，每个所述芯片堆叠结构包括垂直堆叠的多个第一芯片，每个所述第一芯片中包括第一导电插塞组，所述第一导电插塞组包括多个第一导电插塞，相邻两个所述第一芯片之间设置有连接层，所述连接层中设置导线结构，所述导线结构分别电连接与其相邻的两个所述第一芯片中的所述第一导电插塞组，与同一所述导线结构电连接的两个所述第一导电插塞组在所述基板上的投影错开设置；多个所述第一芯片中的所述第一导电插塞组通过所述导线结构串联，以形成电感结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体封装结构

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