申请/专利权人：宁波达新半导体有限公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810085A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明适用于半导体器件技术领域，提供了一种碳化硅MOSFET沟道形成方法，首先在碳化硅衬底内形成P‑base区域后通过在碳化硅衬底上形成两层膜结构，从下至上分别为硅硬掩膜层和二氧化硅硬掩膜层，并对硅硬掩膜层进行热氧化处理形成二氧化硅薄膜侧墙，达到隔离作用，最后在P‑base区域内形成N+注入区域并注入N+离子，即能形成由n型和p型区域组合成的MOSFET沟道。代替了现有技术中，先形成大面积的隔离介质后再去除的繁琐步骤，进一步简化沟道的形成步骤，保证沟道长度一致高，大大改善碳化硅MOSFET特性，提高产品质量。

主权项：1.一种碳化硅MOSFET沟道7形成方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：S01、在碳化硅衬底内形成P-base区域1；S02、在所述碳化硅衬底的表面上生长一层硅硬掩膜层2；S03、在所述硅硬掩膜层2的表面沉淀一层二氧化硅硬掩膜层3；S04、在所述硅硬掩膜层2和所述二氧化硅硬掩膜层3的两端垂直进行光刻开孔；S05、将所述硅硬掩膜层2和所述二氧化硅硬掩膜层3同时蚀刻至所述碳化硅衬底的表面，形成一个两层膜结构，并在所述硅硬掩膜层2的两侧均形成一个侧墙4；S06、对所述硅硬掩膜层2的两侧均进行热氧化处理，在热氧化的过程中，每一所述侧墙4上形成有一层二氧化硅薄膜5；S07、在所述P-base区域1内采用高温注入的方式形成N+注入区域；S08、在N+注入区域注入N+后并进行高温激活，形成由n型和p型区域组合成的MOSFET沟道7。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 宁波达新半导体有限公司 一种碳化硅MOSFET沟道形成方法

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