申请/专利权人：深圳市鲁光电子科技有限公司

申请日：2023-06-20

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN116504682B

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2023.08.15#实质审查的生效;2023.07.28#公开

摘要：本发明涉及第三代半导体的晶圆加工领域，其公开了一种碳化硅MOSFET制备用蚀刻装置，其包括机架，机架上安装有底壳，底壳的上开口端安装有保温壳，底壳内设置有用于承托待蚀刻晶圆的承托机构，保温壳内安装有用于对晶圆进行蚀刻的蚀刻装置，蚀刻装置先对晶圆上表面进行蚀刻液涂刷，刻蚀出凹槽，后往复朝凹槽内注入蚀刻液，并且蚀刻液涂刷以及朝凹槽内注入蚀刻液的过程中，蚀刻装置的移动方向保持相同，本发明能够使蚀刻液直接与凹槽的槽底接触，降低蚀刻液与凹槽的槽壁接触，解决了背景技术中提到的“湿法蚀刻最终得到的蚀刻区域的宽度要比计划的蚀刻区域的宽度大，蚀刻结果的精度受到影响”的问题。

主权项：1.一种碳化硅MOSFET制备用蚀刻装置，其包括机架，机架上安装有底壳（101），底壳（101）的上开口端安装有保温壳（102），其特征在于：底壳（101）内设置有用于对待蚀刻的晶圆进行承托的承托机构（200），保温壳（102）内安装有用于对晶圆进行蚀刻处理的蚀刻装置（300），蚀刻时，蚀刻装置（300）先对晶圆上表面进行蚀刻液涂刷，刻蚀出凹槽，后往复朝凹槽内注入蚀刻液，并且对晶圆进行蚀刻液涂刷的过程中以及朝凹槽内注入蚀刻液的过程中，蚀刻装置（300）的移动方向保持相同；机架上安装有储气罐（104），储气罐（104）内储存有高压惰性气体，储气罐（104）与蚀刻装置（300）之间设置有连接管一（105）与连接管二（106），且连接管一（105）与连接管二（106）上均设置有电磁阀；蚀刻装置（300）包括位于保温壳（102）内的安装座（305），安装座（305）的两端延伸有侧架（304），侧架（304）的自由端伸出保温壳（102）并与安装在机架上的直线模组三（301）连接，直线模组三（301）用于驱使侧架（304）发生移动且移动方向水平，安装座（305）上开设有固定孔，固定孔的上孔口处设置有储液罐（306），连接管一（105）与储液罐（306）连通且连通处靠近储液罐（306）的上端；安装座（305）的下端面固定有上固定壳（314），上固定壳（314）的上端开口、下端封闭并开设有连接孔，连接孔的孔长等于上固定壳（314）的内腔长度；上固定壳（314）的下端面朝下延伸有下沿边，下沿边设置有两组并分别位于连接孔沿孔长方向的两侧，下沿边的底部固定有上垫块（316），上垫块（316）对应设置有两组且两组上垫块（316）之间形成有间隙，间隙位于连接孔的正下方；上垫块（316）与上固定壳（314）下端面之间形成有滑动区，滑动区对应形成有两组，滑动区内滑动安装有封堵体（317），封堵体（317）与下沿边之间设置有弹簧三（318），两组滑动区中的封堵体（317）相向的侧面由上斜面与下平面组成，两组上斜面之间的距离由下至上递增，初始状态下，两组下平面贴合，并将连接孔封堵；上垫块（316）的下端面固定有下固定壳（315），下固定壳（315）的上下两端开口，下固定壳（315）的内腔沿竖直方向由上至下依次分为上柱段、中引导段以及下柱段，中引导段沿侧架（304）移动方向的两侧面之间的距离由下至上递增；下固定壳（315）的下端面朝下延伸有侧沿边，侧沿边设置有两组且两组侧沿边之间的距离方向垂直于侧架（304）的移动方向，两组侧沿边之间设置有下垫块（319），下垫块（319）设置有两组并分别位于下柱段的两侧，并且两组下垫块（319）之间的距离方向平行于侧架（304）的移动方向，下垫块（319）与下固定壳（315）下端面之间形成有导向区，导向区对应形成有两组，导向区内设置有排料嘴（320），排料嘴（320）包括滑动安装在导向区内的上滑动段，两组排料嘴（320）的上滑动段的相向一端设置有下引导段，初始状态下，两组排料嘴（320）的下引导段的底部相互贴合；下固定壳（315）内设置有内管道（321），内管道（321）的外圆面最低点处开设有气孔，气孔沿内管道（321）的轴向阵列有多个，内管道（321）的一端封闭、另一端伸出下固定壳（315）并与连接管二（106）连通；直线模组三（301）驱使侧架（304）移动并对晶圆进行蚀刻液涂刷或者朝凹槽内注入蚀刻液的过程分为三个阶段并依次为加速阶段、匀速阶段以及减速阶段，通过内管道（321）朝下固定壳（315）内注入惰性气体并使下固定壳（315）内的气压发生变化的过程分为三个阶段并依次为与加速阶段对应且气压朝预设值递增的加压阶段、与匀速阶段对应且气压达到并保持预设值的不变阶段以及与减速阶段对应且气压朝常压递减的减压阶段。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市鲁光电子科技有限公司 一种碳化硅MOSFET制备用蚀刻装置

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