申请/专利权人：西安交通大学

申请日：2020-11-26

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN112490204B

主分类号：H01L23/367

分类号：H01L23/367;H01L23/373

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.03.30#实质审查的生效;2021.03.12#公开

摘要：本发明公开一种基于石墨烯的三明治结构散热薄膜、半导体器件及其制备方法，散热薄膜，包括氧化还原石墨烯层和CVD石墨烯层，氧化还原石墨烯层两侧的表面上均设有CVD石墨烯层。本发明基于石墨烯的三明治结构散热薄膜在与衬底平行或垂直的方向上均具有较好的传热能力，能够使得衬底或半导体器件进行快速匀的散热。

主权项：1.制备基于石墨烯的三明治结构散热薄膜的方法，其特征在于，所述基于石墨烯的三明治结构散热薄膜包括氧化还原石墨烯层（1）和CVD石墨烯层（2），氧化还原石墨烯层（1）两侧的表面上均设有CVD石墨烯层（2）；所述基于石墨烯的三明治结构散热薄膜还包括金属衬底，由氧化还原石墨烯层（1）以及其两侧的表面的CVD石墨烯层（2）组成的整体结构设置于所述金属衬底上；方法包括如下步骤：S1，采用CVD法在金属衬底上生长CVD石墨烯层，得到结构A；S2，在结构A的CVD石墨烯层表面制备氧化还原石墨烯层，形成复合结构B；S3，在复合结构B的氧化还原石墨烯层表面制备CVD石墨烯层，再烘干水分，得到复合结构C；S4，去除复合结构C的金属衬底，并进行漂洗，得到所述基于石墨烯的三明治结构散热薄膜；S2中，氧化还原石墨烯的制备过程包括：向每10ml去离子水中加入1-2mg氧化石墨烯，得到混合物A，再对混合物A震荡10-60分钟，然后超声4-24小时，得到分散均匀的氧化石墨烯分散液；氧化石墨烯溶液通过还原剂还原成氧化还原石墨烯；将氧化还原石墨烯覆盖至结构A的CVD石墨烯层表面，得到氧化还原石墨烯层CVD石墨烯复合层；再在40℃-70℃下烘10-30分钟，再进行退火处理，形成复合结构B；退火的气体环境为氩气或氮气，退火分三次进行：第一次退火温度为250℃-350℃退火时间在30-60分钟；第二次退火温度在450℃-600℃退火时间在30-60分钟；第三次退火温度在750℃-1000℃退火时间在30-60分钟。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安交通大学 一种基于石墨烯的三明治结构散热薄膜、半导体器件及其制备方法

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