申请/专利权人：株式会社力森诺科

申请日：2020-10-08

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN114599495B

主分类号：B29C33/68

分类号：B29C33/68;B32B27/00;H01L21/56

优先权：["20191024 JP 2019-193307"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2023.05.30#著录事项变更;2022.06.24#实质审查的生效;2022.06.07#公开

摘要：本发明提供如下的脱模膜，其用于制造半导体封装，所述脱模膜具有：基材层，其在温度170℃时的拉伸弹性模量小于或等于150MPa并且在温度170℃时的恢复率大于或等于70％；以及包含树脂粒子的脱模层，其配置于所述基材层的单面。并且提供如下的脱模膜，其用于制造半导体封装，所述脱模膜具有基材层、以及配置于所述基材层的单面且包含树脂粒子的脱模层，所述脱模膜在温度170℃时的拉伸弹性模量小于或等于150MPa并且在温度170℃时的恢复率大于或等于70％。

主权项：1.一种脱模膜，其用于制造半导体封装，所述脱模膜具有：基材层，其在温度170℃时的拉伸弹性模量小于或等于150MPa并且在温度170℃时的恢复率大于或等于70％；以及包含树脂粒子的脱模层，其配置于所述基材层的单面，所述恢复率通过下述的试验方法来求出：将基材层切成以JISK6251：2010为标准的哑铃状1号形试验片的形状，在试验片的中央部隔开40mm而设置平行的两条标线，将试验片设置于拉伸试验机，在温度170℃下，以拉伸速度500mm分钟将试验片延伸100％，接着使拉伸试验机的试验片夹具返回到原来的位置，静置1分钟后，从试验机卸下试验片，测量两条标线间的距离L，单位为mm，根据下述式子算出恢复率，恢复率％＝80-L÷40×100。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社力森诺科 脱模膜以及半导体封装的制造方法

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