申请/专利权人：广东伟智创科技有限公司

申请日：2024-01-15

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117845323A

主分类号：C30B25/02

分类号：C30B25/02;C30B25/14;C30B29/16;C23C16/54

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明提供了一种制备多层结构氧化镓晶圆的装置及其方法，结构包括一种制备多层结构氧化镓晶圆的装置，包括多个并排设置的MOCVD沉积单元、传送结构和陶瓷沉积座结构，其中，MOCVD沉积单元包括外壳、金属源进气口、氧源进气口和加热器，外壳下端开口，金属源进气口、氧源进气口开设在外壳上端，金属源进气口、氧源进气口与外壳内腔连通，金属源进气口、氧源进气口充入外壳内腔的气体能从外壳下端冲出，使外壳下端处于相应的气体氛围内，加热器固定安装在外壳内腔的下部，加热器用于保持外壳内腔的下部高温恒温，传送结构位于MOCVD沉积单元下方，传送结构上表面与外壳下端间隙配合。本发明可以以流水线的方式一次性完成晶圆的多层沉积。

主权项：1.一种制备多层结构氧化镓晶圆的装置，其特征是：包括多个并排设置的MOCVD沉积单元1、传送结构2和陶瓷沉积座结构3，其中，MOCVD沉积单元1包括外壳11、金属源进气口12、氧源进气口13和加热器14，所述的外壳11下端开口，所述的金属源进气口12、氧源进气口13开设在外壳11上端，金属源进气口12、氧源进气口13与外壳11内腔连通，所述的金属源进气口12、氧源进气口13充入外壳11内腔的气体能从外壳11下端冲出，使外壳11下端处于相应的气体氛围内，所述的加热器14固定安装在外壳11内腔的下部，加热器14用于保持外壳11内腔的下部高温恒温，所述的传送结构2位于MOCVD沉积单元1下方，传送结构2上表面与外壳11下端间隙配合，且传送结构2上表面与外壳11下端的间隙刚好足够陶瓷沉积座结构3通过，所述的MOCVD沉积单元1的排列方向与传送结构2的传动方向相适应，所述的陶瓷沉积座结构3固定在传送结构2上表面上，所述的陶瓷沉积座结构3包括若干个沉积座31，所述的沉积座31上表面用于放置待加工基底材料。

全文数据：

权利要求：

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