申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2021-04-29

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN113594165B

主分类号：H10B10/00

分类号：H10B10/00;G11C11/412

优先权：["20200430 US 63/017,768","20210226 US 17/186,322"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.11.19#实质审查的生效;2021.11.02#公开

摘要：一种半导体结构包括：衬底，具有前侧和背侧；静态随机存取存储器SRAM电路，具有形成在衬底的前侧上的SRAM位单元，其中，每个SRAM位单元包括交叉耦合在一起的两个反相器以及耦合至这两个反相器的第一传输门和第二传输门；第一位线，设置在衬底的前侧上并连接至第一传输门；以及第二位线，设置在衬底的背侧上并连接至第二传输门。本申请的实施例提供了半导体结构及其形成方法。

主权项：1.一种半导体结构，包括：衬底，具有前侧和背侧；静态随机存取存储器电路，具有形成在所述衬底的前侧上的静态随机存取存储器位单元，其中，所述静态随机存取存储器位单元的第一单元包括交叉耦合在一起的两个反相器以及耦合至所述两个反相器的第一传输门和第二传输门；第一位线，设置在所述衬底的前侧上并连接至所述第一传输门；以及第二位线，设置在所述衬底的背侧上并连接至所述第二传输门。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构及其形成方法

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