申请/专利权人：北京工业大学

申请日：2024-01-08

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832304A

主分类号：H01L31/032

分类号：H01L31/032;H01L31/0352;H01L31/101;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：一种一步法制备的二维范德华半导体突触器件，属于半导体突触器件领域。所述二维范德华半导体突触器件，包括衬底、沟道、源电极和漏电极，设置绝缘层作为衬底，衬底上设置沟道，沟道由多层的二维半导体MoS2构成，源电极和漏电极分别位于沟道的两端，整体位于绝缘层上；所述沟道材料中含有可以存储电子或空穴的缺陷。所述沟道材料中的缺陷产生于电极沉积的过程。与现有技术相比，显著降低了二维半导体突触制备工艺的复杂度，精简化工艺的突触制备技术方法在实际生产中的应用具有广阔前景。

主权项：1.一种一步法制备的二维范德华半导体突触器件，包括衬底、沟道、源电极和漏电极，设置绝缘层作为衬底，衬底上设置沟道，沟道由多层的二维半导体MoS2构成，源电极和漏电极分别位于沟道的两端，整体位于绝缘层上；其特征在于，所述沟道材料中含有可存储电子或空穴的缺陷。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京工业大学 一步法制备的二维范德华半导体突触器件

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