申请/专利权人：物元半导体技术(青岛)有限公司

申请日：2023-12-29

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117497411B

主分类号：H01L21/331

分类号：H01L21/331;H01L21/768;H01L23/538;H01L29/739

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2024.02.23#实质审查的生效;2024.02.02#公开

摘要：本发明涉及一种制作IGBT的方法及IGBT半导体结构，该方法至少包括以下步骤：提供一器件晶圆，器件晶圆包括相互背离的第一表面和第二表面；在器件晶圆的第一表面上形成半导体器件功能区，半导体器件功能区包括金属层；提供一支撑晶圆，支撑晶圆包括相互背离的第三表面和第四表面；将器件晶圆和支撑晶圆进行键合，且器件晶圆的第一表面与支撑晶圆的第三表面相对；对器件晶圆从第二表面的一侧进行减薄；对支撑晶圆从第四表面的一侧进行减薄；形成由支撑晶圆的第四表面侧贯通至半导体器件功能区中的金属层的孔洞；对器件晶圆执行IGBT背面工艺。该方法极大地简化了生产工艺，在获得稳定支撑的情况下可以获得整体更小的厚度。

主权项：1.一种制作IGBT的方法，其特征在于，至少包括以下步骤：提供一器件晶圆，所述器件晶圆包括相互背离的第一表面和第二表面；在所述器件晶圆的第一表面上形成半导体器件功能区，所述半导体器件功能区包括形成在所述器件晶圆的所述第一表面或所述第一表面之下的金属层；在所述器件晶圆的所述第一表面形成第一电介质层；提供一支撑晶圆，所述支撑晶圆包括相互背离的第三表面和第四表面，在所述支撑晶圆的所述第三表面形成第二电介质层；在所述器件晶圆的所述第一表面形成第一标记，在所述支撑晶圆的所述第三表面形成第二标记；将所述器件晶圆和所述支撑晶圆进行键合，且所述器件晶圆的所述第一表面与所述支撑晶圆的所述第三表面相对，通过所述第一标记和所述第二标记进行对准且保证所述第一标记和所述第二标记的偏移量在300nm以内；对所述器件晶圆从所述第二表面的一侧进行减薄至厚度为5μm~400μm；对所述支撑晶圆从所述第四表面的一侧进行减薄至厚度为5μm~600μm；形成由所述支撑晶圆的所述第四表面侧贯通至所述半导体器件功能区中的所述金属层的孔洞，所述孔洞的打开深度为200μm~600μm；对所述器件晶圆执行IGBT背面工艺，键合连接的所述支撑晶圆在IGBT制作后不进行剥离且在键合之前无需在所述器件晶圆与所述支撑晶圆之间预先形成导电连接结构。

全文数据：

权利要求：

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