申请/专利权人：武汉锐晶激光芯片技术有限公司

申请日：2023-12-26

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878718A

主分类号：H01S5/028

分类号：H01S5/028;H01S5/22

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请涉及一种半导体器件及其制备方法。方法包括：提供衬底；于衬底的表面形成多个间隔排布的第一钝化层；于衬底内形成多个脊条，各脊条包括部分衬底，各脊条两侧壁为开设于衬底的凹槽；其中，第一钝化层位于脊条上，第一钝化层和脊条的总高度大于高度阈值；于衬底的表面和各第一钝化层的表面分别形成第二钝化层；于第二钝化层的表面形成第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行图形化处理，以露出第二钝化层远离脊条上的第一钝化层和第二钝化层；采用回流工艺使各凹槽内的第一光刻胶层沿脊条的侧壁回流，以覆盖脊条两侧壁的第二钝化层。本申请通过第一钝化层增加高度，提高回流工艺的成功率，以适用于不同脊条高度的半导体器件的热回流工艺。

主权项：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供衬底；于所述衬底的表面形成多个间隔排布的第一钝化层；于所述衬底内形成多个脊条，各所述脊条包括部分所述衬底，各所述脊条两侧壁为开设于所述衬底的凹槽；其中，所述第一钝化层位于所述脊条上，所述第一钝化层和所述脊条的总高度大于高度阈值；于所述衬底的表面和各所述第一钝化层的表面分别形成第二钝化层；于所述第二钝化层的表面形成第一光刻胶层；对所述第一光刻胶层进行图形化处理，以露出所述第二钝化层远离所述脊条上的所述第一钝化层和所述第二钝化层；采用回流工艺使各所述凹槽内的所述第一光刻胶层沿所述脊条的侧壁回流，以覆盖所述脊条两侧壁的所述第二钝化层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉锐晶激光芯片技术有限公司 半导体器件及其制备方法

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