申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117877984A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78;H01L21/28;H01L29/51;H10B51/20;H10B51/30

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种铁电半导体器件的制备方法及铁电半导体器件，涉及3DNAND闪存技术领域，用于提供一种数据存储可靠性高的存储器件。包括以下步骤：提供基底。在基底上交替沉积多层栅极材料层和多层支撑层，形成第一叠层结构。在第一叠层结构中形成通道孔结构，并在通道孔结构中填充多晶硅材料，得到第二叠层结构。在第二叠层结构的两侧形成对称的第一台阶结构和第二台阶结构。沿第一台阶结构至第二台阶结构的方向，在第二叠层结构中形成贯穿第二叠层结构的裂缝结构，得到第三叠层结构。去除第三叠层结构中的支撑层，并在第三叠层结构中的栅极材料层的外周依次形成铁电层以及栅界面层，其中，铁电层为氧化铪材料层，栅界面层为氮氧化物材料层。

主权项：1.一种铁电半导体器件的制备方法，其特征在于，所述铁电半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供基底；在所述基底上交替沉积多层栅极材料层和多层支撑层，形成第一叠层结构；沿所述第一叠层结构的层叠方向，在所述第一叠层结构中形成通道孔结构，并在所述通道孔结构中填充多晶硅材料，得到第二叠层结构；在所述第二叠层结构的两侧形成对称的第一台阶结构和第二台阶结构；沿所述第一台阶结构至所述第二台阶结构的方向，在所述第二叠层结构中形成贯穿所述第二叠层结构的裂缝结构，得到第三叠层结构；去除所述第三叠层结构中的支撑层，并在所述第三叠层结构中的栅极材料层的外周依次形成铁电层以及栅界面层，其中，所述铁电层为氧化铪材料层，所述栅界面层为氮氧化物材料层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种铁电半导体器件的制备方法及铁电半导体器件

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