申请/专利权人：住友电气工业株式会社

申请日：2022-06-23

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117882200A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/12

优先权：["20211013 JP 2021-168094"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：碳化硅半导体器件具有：碳化硅衬底；栅极焊盘及源极焊盘；第一钝化膜；以及所述第一钝化膜上的第二钝化膜，所述第一钝化膜具有：第一绝缘分离部，位于所述栅极焊盘与所述源极焊盘之间；第一开口，露出所述栅极焊盘并具备第一边缘；以及第二开口，露出所述源极焊盘并具备第二边缘，碳化硅半导体器件还具有：第一镀膜，在所述第一开口的内侧形成；以及第二镀膜，在所述第二开口的内侧形成，所述第二钝化膜也形成在所述第一镀膜及所述第二镀膜上，所述第二钝化膜具有：第二绝缘分离部，覆盖所述第一绝缘分离部；第三开口，露出所述第一镀膜并具备第三边缘；以及第四开口，露出所述第二镀膜并具备第四边缘，在俯视观察时，所述第一边缘位于所述第三边缘的外侧，所述第二边缘位于所述第四边缘的外侧。

主权项：1.一种碳化硅半导体器件，具有：碳化硅衬底，具备第一主面；栅极焊盘及源极焊盘，形成在所述第一主面上；第一钝化膜，形成在所述栅极焊盘及所述源极焊盘上；以及第二钝化膜，形成在所述第一钝化膜上，所述第一钝化膜具有：第一绝缘分离部，位于所述栅极焊盘与所述源极焊盘之间；第一开口，露出所述栅极焊盘并具备第一边缘；以及第二开口，露出所述源极焊盘并具备第二边缘，所述碳化硅半导体器件还具有：第一镀膜，在所述第一开口的内侧形成在所述栅极焊盘上；以及第二镀膜，在所述第二开口的内侧形成在所述源极焊盘上，所述第二钝化膜也形成在所述第一镀膜及所述第二镀膜上，所述第二钝化膜具有：第二绝缘分离部，覆盖所述第一绝缘分离部；第三开口，露出所述第一镀膜并具备第三边缘；以及第四开口，露出所述第二镀膜并具备第四边缘，从垂直于所述第一主面的方向俯视观察时，所述第一边缘位于所述第三边缘的外侧，所述第二边缘位于所述第四边缘的外侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 住友电气工业株式会社 碳化硅半导体器件

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