申请/专利权人：苏州明义微电子技术有限公司

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878155A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明公开了一种混合型MOSFET器件结构，其包括：具有第一表面和第二表面的衬底，设置在衬底的第一表面上的漂移区，形成在漂移区内的掺杂层，以及沿第一方向设置在漂移区内的第一元胞和第二元胞，其中第一元胞、第二元胞分别为槽栅Trench型MOSFET元胞、SGTMOSFET元胞，第一方向为与衬底第一表面平行的方向。本发明通过在一个MOSFET器件内将SGT元胞和Trench元胞混合排列，可以充分利用现有SGT和TrenchMOSFET工艺平台，能够在最小的开发周期下，低成本的获得Cgd，Cgs，Cds和Rdson等参数介于SGT和TrenchMOSFET之间的器件，并有效提高Vth等参数的一致性，优化器件性能。

主权项：1.一种混合型MOSFET器件结构，其特征在于，包括：具有第一表面和第二表面的衬底，设置在所述衬底的第一表面上的漂移区，形成在所述漂移区内的掺杂层，沿第一方向设置在所述漂移区内的第一元胞和第二元胞，其中所述第一元胞包括第一沟槽栅结构和第一源区，所述第一沟槽栅结构包括第一栅极，所述第二元胞包括第二沟槽栅结构和第二源区，所述第二沟槽栅结构包括第二栅极和第三栅极，所述第二栅极、第三栅极分别用作控制栅、屏蔽栅，所述第一源区和第二源区均形成在所述掺杂层内，所述第一源区至少分布在第一沟槽栅结构两侧，所述第二源区至少分布在第二沟槽栅结构两侧；其中，所述第一方向为与所述衬底的第一表面平行的方向。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州明义微电子技术有限公司 混合型MOSFET器件结构

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