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【发明授权】具有栅电极的半导体器件_三星电子株式会社_201910565810.4 

申请/专利权人:三星电子株式会社

申请日:2019-06-27

公开(公告)日:2024-04-12

公开(公告)号:CN111276539B

主分类号:H01L29/78

分类号:H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336

优先权:["20181205 KR 10-2018-0154900"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.12#授权;2021.12.10#实质审查的生效;2020.06.12#公开

摘要:一种半导体器件包括:第一鳍,从衬底突出并沿第一方向延伸;第二鳍,从衬底突出并沿第一方向延伸,第一鳍和第二鳍间隔开;栅线,包括虚设栅电极和栅电极,虚设栅电极至少部分地覆盖第一鳍,栅电极至少部分地覆盖第二鳍,虚设栅电极包括与栅电极不同的材料,栅线覆盖第一鳍和第二鳍,栅线沿不同于第一方向的第二方向延伸;以及栅电介质层,在栅电极和第二鳍之间。

主权项:1.一种半导体器件,包括:第一鳍,从衬底突出并且沿第一方向延伸;第二鳍,从所述衬底突出并且沿所述第一方向延伸,所述第一鳍和所述第二鳍间隔开;栅线,包括虚设栅电极和栅电极,所述虚设栅电极至少部分地覆盖所述第一鳍,所述栅电极至少部分地覆盖所述第二鳍,所述虚设栅电极包括与所述栅电极不同的材料,所述栅线覆盖所述第一鳍和所述第二鳍,所述栅线沿不同于所述第一方向的第二方向延伸,所述虚设栅电极和所述栅电极被包括在同一晶体管中;以及栅电介质层,在所述栅电极和所述第二鳍之间,其中所述虚设栅电极沿所述第二方向延伸,所述栅电极从所述虚设栅电极沿所述第二方向延伸。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三星电子株式会社 具有栅电极的半导体器件

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