申请/专利权人：北京智芯微电子科技有限公司

申请日：2023-11-23

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117276349B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L21/336;H01L27/02

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.12#授权;2024.01.09#实质审查的生效;2023.12.22#公开

摘要：本申请公开了一种抗辐射动态阈值调制半导体器件、工艺、电路及芯片，属于半导体技术领域。抗辐射动态阈值调制半导体器件包括顺次层叠的衬底、底栅层、底栅介质层、外延层、顶栅介质层和顶栅层，外延层包括沿横向依次排布的源区、体区、漂移区和漏区，底栅层位于体区和漂移区的正下方，顶栅层位于体区和漂移区的正上方，底栅层和顶栅层在体区和漂移区内形成方向相反的电场。在器件开态时，导电沟道形成于器件内部，远离器件表面，从而不易受外界辐射干扰，器件更稳定；此外，通过采用双栅结构，能够通过器件设计，双栅动态调控获得电路所需的不同阈值电压，从而节约了调整工艺参数及工序的成本。

主权项：1.一种抗辐射动态阈值调制半导体器件，其特征在于，包括顺次层叠的衬底、底栅层、底栅介质层、外延层、顶栅介质层和顶栅层，所述外延层包括沿横向依次排布的源区、体区、漂移区和漏区，所述底栅层位于所述体区和所述漂移区的正下方，所述顶栅层位于所述体区和所述漂移区的正上方，所述底栅层和所述顶栅层在所述体区和所述漂移区内形成方向相反的电场，所述顶栅介质层的厚度大于所述底栅介质层的厚度，所述底栅层和所述顶栅层对称分布于所述体区和所述漂移区上下两侧。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京智芯微电子科技有限公司 抗辐射动态阈值调制半导体器件、工艺、电路及芯片

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