申请/专利权人：华中科技大学

申请日：2019-09-30

公开（公告）日：2020-07-28

公开（公告）号：CN110687630B

主分类号：G02B6/122(20060101)

分类号：G02B6/122(20060101);G02B6/136(20060101);G02B6/132(20060101);G02B6/13(20060101);G02B6/12(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-未缴年费专利权终止

法律状态：2022.09.20#未缴年费专利权终止;2020.02.11#实质审查的生效;2020.01.14#公开

摘要：本发明属于半导体制造领域，公开了一种应用于三维光互连的SOI衬底及其制备方法，其中SOI衬底包括自上而下键合相连的上硅片1和下硅片9，在上硅片1和下硅片5相键合连接的区域还具有埋层氧化层；在上硅片1内设置有两套微反射镜的阵列，在下硅片9内设置有硅光通孔的阵列；两套微反射镜的阵列中的一套阵列与位于下硅片9内的硅光通孔阵列在竖直方向上一一对应，用于实现该SOI衬底的层内波导与该SOI衬底的硅光通孔的光信号连接；另一套微反射镜阵列用于实现该SOI衬底的层内波导与三维器件中上一层SOI衬底的硅光通孔的光信号连接。本发明利用硅光通孔与层内波导之间光转向的微反射镜阵列，能够提升三维光互连芯片的性能。

主权项：1.一种应用于三维光互连的SOI衬底，其特征在于，该SOI衬底包括自上而下键合相连的上硅片1和下硅片9，在所述上硅片1和所述下硅片9相键合连接的区域还具有埋层氧化层；该SOI衬底能够与其他若干个同样的SOI衬底进行堆叠形成三维器件；对于该SOI衬底：在所述上硅片1内设置有两套微反射镜的阵列，在所述下硅片9内设置有硅光通孔的阵列；所述两套微反射镜的阵列分别位于所述上硅片1的上侧和下侧，其中，位于所述上硅片1下侧的微反射镜阵列与位于所述下硅片9内的硅光通孔阵列在竖直方向上一一对应，用于实现该SOI衬底的层内波导与该SOI衬底的硅光通孔的光信号连接；所述上硅片1上侧的微反射镜阵列用于实现该SOI衬底的层内波导与键合在其上方的三维器件中另一同样SOI衬底的硅光通孔的光信号连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华中科技大学 一种应用于三维光互连的SOI衬底及其制备方法

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