申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日:2019-04-12
公开(公告)日:2020-10-23
公开(公告)号:CN111816555A
主分类号:H01L21/28(20060101)
分类号:H01L21/28(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/423(20060101)
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.05.26#授权;2020.11.10#实质审查的生效;2020.10.23#公开
摘要:本发明提供半导体器件的形成方法,包括步骤:提供衬底,所述衬底上形成有鳍部;所述鳍部包括密集区和稀疏区;在所述鳍部的侧壁上形成侧墙,位于所述稀疏区的相邻所述鳍部的所述侧墙之间形成有开口;在所述衬底上形成半导体层,所述半导体层覆盖所述鳍部以及所述侧墙,且所述半导体层填充满所述开口;刻蚀去除所述开口内的所述半导体层,直至暴露出所述衬底;本发明利用侧墙预先定义了进行伪栅结构切割形成开口的位置,保证了所述开口到所述鳍部之间具有足够距离,在后续将伪栅结构换成金属栅极结构的时,能够避免金属材料之间形成空隙,便于提高半导体器件使用性能的稳定性。
主权项:1.一种半导体器件的形成方法,其特征在于,包括步骤:提供衬底,所述衬底上形成有鳍部,所述鳍部包括密集区和稀疏区;在所述鳍部的侧壁上形成侧墙,位于所述稀疏区的相邻所述鳍部的所述侧墙之间形成有开口;在所述衬底上形成半导体层,所述半导体层覆盖所述鳍部以及所述侧墙,且所述半导体层填满所述开口;刻蚀去除所述开口内的所述半导体层直至暴露出所述衬底。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体器件及其形成方法
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