申请/专利权人：电子科技大学

申请日：2021-08-20

公开（公告）日：2021-11-19

公开（公告）号：CN113675269A

主分类号：H01L29/778(20060101)

分类号：H01L29/778(20060101);H01L29/06(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.12.07#实质审查的生效;2021.11.19#公开

摘要：本发明属于半导体器件及集成电路技术领域，具体的说是涉及一种抑制短沟道效应的p‑GaNHEMT器件。与常规的p‑GNHEMT器件不同的是，本发明的位于AlGaN势垒层上方的p‑GaN层不仅包括厚度较大的、使器件实现增强型器件功能的p‑GaN层，还包括厚度较小的经过凹槽刻蚀的p‑GaN。当器件漏极的电压较高时，凹槽刻蚀的p‑GaN层下方的2DEG耗尽，能够承受漏极电压，从而使厚度较大的p‑GaN层一侧的电位钳位，从而降低短沟道效应。本发明的器件能降低处在高漏偏压时阈值电压的减小量，同时能够提升击穿电压。另外，本发明工艺与传统p‑GaNHEMT器件制备工艺完全兼容。

主权项：1.一种抑制短沟道效应的p-GaNHEMT器件，包括从下层至上依次层叠设置的衬底层1、缓冲层2、GaN沟道层3、AlInGaN层势垒层4、p-GaN层5、钝化层7；所述GaN层3和AlInGaN层4形成异质结；所述AlInGaN层4上层的一端具有第一金属电极10，另一端具有第二金属电极9，第一金属电极10和第二金属电极9与AlInGaN层4之间均是欧姆接触；所述p-GaN层5呈中部凸起的凸起结构，将p-GaN层5中部凸起结构两侧的部分靠近第一金属电极10的一侧定义为源极侧p-GaN层12，靠近第二金属电极9的一侧定义为漏极侧p-GaN层11；所述p-GaN层5的上表面覆盖有第三金属电极6，第三金属电极6与p-GaN层5之间是肖特基接触或欧姆接触；所述第三金属电极6作为器件的栅极；在AlInGaN层势垒层4与第三金属电极6上表面覆盖有钝化层7；所述第一金属电极10沿钝化层7上表面延伸至靠近第二金属电极9，第一金属电极10作为器件的源极；所述第二金属电极9沿钝化层7上表面向靠近第一金属电极10的一侧延伸，在第一金属电极10和第二金属电极9之间具有隔离层8，第二金属电极9作为器件的漏极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种抑制短沟道效应的p-GaN HEMT器件

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